Оксид галлия (β⁃Ga₂O₃) был осажден на кремниевую подложку Si (111) методом высоковакуумного радиочастотного магнетронного распыления. Проведено исследование влияния температуры распыления на микроструктуру и оптические свойства Ga₂O₃. Структура кристаллов Ga₂O₃, морфология поверхности и оптические свойства были охарактеризованы с использованием рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и флуоресцентной спектроскопии. Результаты показывают, что в среде чистого аргона различия в морфологии осажденного Ga₂O₃ связаны с механизмом роста при различных температурах распыления. При температуре распыления 300 ℃ происходит термическое разложение Ga₂O₃ с образованием металлических кластеров Ga; при 400 ℃ металлические кластеры Ga выступают катализаторами для автокаталитического роста нанопроводов Ga₂O₃. В спектрах фотолюминесценции (PL) образцы Ga₂O₃ демонстрируют четыре пика излучения в фиолетовом, синем и зеленом диапазонах в диапазоне длин волн 300–700 нм, при температуре 400 ℃ наблюдается значительное усиление пиков излучения нанопроводов Ga₂O₃ и небольшое синее смещение. Большая удельная поверхность наноструктур и квантовые размерные эффекты оказывают важное влияние на флуоресцентные свойства PL Ga₂O₃. Раман-спектроскопия (Raman) показывает, что качество кристаллов Ga₂O₃ улучшается с повышением температуры распыления; при 400 ℃ в нанопроводах появляются новые режимы колебаний Рамана с синим сдвигом на 18 см⁻¹.

РЧ магнетронное распыление;Ga₂O₃;структурные свойства;оптические свойства