Кристаллы Tb₃Sc₂Al₃O₁₂ (TSAG) характеризуются высокой пропускной способностью, высоким порогом лазерных повреждений, низким коэффициентом поглощения и превосходными магнитооптическими свойствами по сравнению с Tb₃Ga₅O₁₂ (TGG), считаются идеальным магнитооптическим материалом; однако в процессе роста кристаллов накапливается значительное тепловое напряжение и наблюдается сегрегация компонентов, что приводит к легкому растрескиванию кристаллов при последующей обработке и использовании, серьезно ограничивая их применение. В данной работе путем оптимизации технологии роста методом вытягивания успешно выращены высококачественные целые кристаллы TSAG без трещин. Полученные монокристаллы были ориентированы, разрезаны и отполированы для получения образцов подходящего размера, а их тепловые и оптические свойства были систематически охарактеризованы. Результаты показывают, что пропускание TSAG в диапазоне 400~1500 нм достигает примерно 84%, тепловые свойства превосходят коммерчески используемые кристаллы TGG, при высоких мощностях деформация меньше, а теплоотвод быстрее, что лучше защищает устройство. Константа Вердета кристалла TSAG примерно в 1,2 раза выше, чем у TGG, и процесс роста не сопровождается испарением Ga₂O₃, что упрощает подготовку, что обещает коммерческое применение в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах.

TSAG; магнитооптика; метод вытягивания; рост кристаллов; лазер