Был подготовлен ультрафиолетовый фотодетектор на основе нанопленки CuSCN методом прямого роста in situ. При смещении -1 В и падающем свете с длиной волны 350 нм фотодетектор CuSCN показывал коэффициент переключения ~94, время отклика/восстановления ~1,41 с/1,44 с. Тем не менее, это устройство нельзя назвать высокоэффективным фотодетектором. Для дальнейшего улучшения фоточувствительных характеристик нанопленки CuSCN был создан ультрафиолетовый фотодетектор на основе составной пленки n-ZnS/p-CuSCN, и проведён анализ морфологии, состава и характеристик приготовленных образцов. Результаты показали, что при смещении -1 В и длине волны 350 нм фотодетектор ZnS/CuSCN демонстрирует более высокий фототок и более низкий ток темнового тока по сравнению с фотодетектором CuSCN — соответственно 1.22×10^-5 А и 4.8×10^-9 А. Фотодетектор на основе нанопленки ZnS/CuSCN имеет коэффициент переключения 2542, время отклика/восстановления 0,47 с/0,48 с, и при длине волны 350 нм достигает наилучшей чувствительности и степени детектирования — 5.17 мА/Вт и 1.32×10^11 Джонс соответственно. Кроме того, композитная пленка n-ZnS/p-CuSCN обладает стабильными характеристиками при комнатной температуре и имеет потенциал для использования в качестве высокоэффективного ультрафиолетового фотодетектора.

фотодетектор;p-n переход;ZnS/CuSCN;коэффициент переключения