Материал In_0.49Ga_0.51P привлек широкое внимание в исследованиях коротковолновых лазеров на основе GaAs и безалюминиевых лазеров благодаря совпадению кристаллической решётки с GaAs и широкой запрещённой зоне. Различные области применения предъявляют разные требования к характеристикам материала In_0.49Ga_0.51P, что приводит к изменению порядка упорядоченности материала и, как следствие, к изменению его светоизлучающих свойств. В данной работе использована технология металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) для изучения влияния порядка упорядоченности материала In_0.49Ga_0.51P на его светоизлучающие характеристики на полупроводниковой подложке GaAs с высоким сопротивлением. Порядок упорядоченности материала In_0.49Ga_0.51P изменяли путем изменения расхода допантов силана (SiH₄) и диэтилцинка (DEZn), а также соотношения V/III. Результаты фотолюминесцентных испытаний при комнатной температуре (PL) и при низкой температуре показали, что увеличение расхода допантов обоих типов приводит к снижению порядка упорядоченности In_0.49Ga_0.51P, что вызывает голубое смещение длины волны излучения InGaP. Кроме того, увеличение соотношения V/III приводит к повышению порядка упорядоченности In_0.49Ga_0.51P и красному смещению длины волны излучения образцов.

металлоорганическое химическое осаждение;индиевый галлий фосфид/галлиевый арсенид;фотолюминесценция;намеренное допирование