Оптимизация и улучшение светящихся материалов всегда являлись актуальной темой исследований в соответствующей области. Латочные дефекты, образующиеся в процессе кристаллроста/производства, тесно связаны с миграцией носителей заряда. Путём искусственного регулирования дефектов можно контролировать миграцию носителей и тем самым улучшать светоиспускательные свойства, что имеет важное значение для разработки и применения светящихся материалов. Исследования показали, что введение ионов переходных или редкоземельных металлов в определённую трёхмерную сетчатую структуру вызывает точечные дефекты, возникающие из-за неэквивалентной замены катионов, которые не только эффективно способствуют снижению степени окисления ионов активации, но и взаимодействуют с внутренними дефектами, образуя функциональные ловушки уровней энергии, обеспечивая хранение носителей заряда и динамическое равновесие под внешним воздействием, что способствует улучшению светоиспускательных свойств материалов и даже возникновению новых светоиспускательных характеристик. В данной статье систематически обобщены внутренние механизмы связи и методы регулирования между точечными дефектами и световыми свойствами образцов с целью предоставить полезные идеи для разработки и исследования новых функциональных кристаллов с оптоэлектронными свойствами.

дефекты решётки;самовосстановление;тепловая стабильность;длительная фосфоресценция;стрессовая люминесценция