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InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长
材料合成及性能 | 更新时间:2021-04-23
    • InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长

    • Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology

    • 发光学报   2021年42卷第4期 页码:448-454
    • DOI:10.37188/CJL.20200379    

      中图分类号:

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  • 王旭, 王海珠, 张彬, 等. InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长[J]. 发光学报, 2021,42(4):448-454. DOI: 10.37188/CJL.20200379.

    Xu WANG, Hai-zhu WANG, Bin ZHANG, et al. Growth of InGaAs/GaAsP Strain-compensated Multiple Quantum Wells via MOCVD Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021,42(4):448-454. DOI: 10.37188/CJL.20200379.

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