您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-09-10
    • 高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究

    • Design and Research of High Tuning Efficiency V-cavity Tunable Semiconductor Laser

    • 发光学报   2020年41卷第8期 页码:977-983
    • DOI:10.37188/fgxb20204108.0977    

      中图分类号:

    扫 描 看 全 文

  • 王傲, 邹永刚, 李明宇, 等. 高调谐效率V型腔可调谐半导体激光器设计与研究[J]. 发光学报, 2020,41(8):977-983. DOI: 10.37188/fgxb20204108.0977.

    Ao WANG, Yong-gang ZOU, Ming-yu LI, et al. Design and Research of High Tuning Efficiency V-cavity Tunable Semiconductor Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020,41(8):977-983. DOI: 10.37188/fgxb20204108.0977.

  •  

0

浏览量

33

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计
980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析
量子阱半导体激光器阈值的理论分析
InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性

相关作者

暂无数据

相关机构

中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院研究生院
空军航空大学
中国科学院, 长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院, 研究生院
0