您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
发光学应用及交叉前沿 | 更新时间:2020-08-12
    • 0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应

    • Total Dose Effects in 0.5 μm CMOS Active Pixel Image Sensor

    • 发光学报   2015年36卷第2期 页码:242-248
    • DOI:10.3788/fgxb20153602.0242    

      中图分类号:

    扫 描 看 全 文

  • 汪波, 李豫东, 郭旗等. 0.5 μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应[J]. 发光学报, 2015,36(2): 242-248 DOI: 10.3788/fgxb20153602.0242.

    WANG Bo, LI Yu-dong, GUO Qi etc. Total Dose Effects in 0.5 μm CMOS Active Pixel Image Sensor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(2): 242-248 DOI: 10.3788/fgxb20153602.0242.

  •  

0

浏览量

13

下载量

5

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

暂无数据

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据
0