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1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性

    • Temperature Characteristic of 1.06 μm InGaAs/InGaAsP Quantum Well Laser Diode

    • 发光学报   2012年33卷第6期 页码:647-650
    • DOI:10.3788/fgxb20123306.0647    

      中图分类号:

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  • 李再金, 芦鹏, 李特, 曲轶, 薄报学, 刘国军, 马晓辉. 1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性[J]. 发光学报, 2012,(6): 647-650 DOI: 10.3788/fgxb20123306.0647.

    LI Zai-jin, LU Peng, LI Te, QU Yi, BO Bao-xue, LIU Guo-jun, MA Xiao-hui. Temperature Characteristic of 1.06 μm InGaAs/InGaAsP Quantum Well Laser Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(6): 647-650 DOI: 10.3788/fgxb20123306.0647.

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