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MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源 t-BuOH和H2O的比较研究
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源 t-BuOH和H2O的比较研究

    • Comparison The Effect of t-BuOH and H2O as O Precursors on ZnO Films Grown by MOCVD Method

    • 发光学报   2012年33卷第6期 页码:665-668
    • DOI:10.3788/fgxb20123306.0665    

      中图分类号:

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  • 朱顺明, 黄时敏, 顾书林, 朱振邦, 顾然, 郑有炓. MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源 <em>t</em>-BuOH和H<sub>2</sub>O的比较研究[J]. 发光学报, 2012,(6): 665-668 DOI: 10.3788/fgxb20123306.0665.

    ZHU Shun-ming, HUANG Shi-min, GU Shu-lin, ZHU Zhen-bang, GU Ran, ZHENG You-dou. Comparison The Effect of <em>t</em>-BuOH and H<sub>2</sub>O as O Precursors on ZnO Films Grown by MOCVD Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(6): 665-668 DOI: 10.3788/fgxb20123306.0665.

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