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离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究
材料合成及性能研究 | 更新时间:2020-08-12
    • 离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究

    • Study of SiO2 Dielectric Film Stress Grown by The Method of Ion Assisted Deposition

    • 发光学报   2012年33卷第12期 页码:1304-1308
    • DOI:10.3788/fgxb20123312.1304    

      中图分类号:

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  • 张金胜, 张金龙, 宁永强. 离子辅助沉积法制备SiO<sub>2</sub>介质薄膜的应力研究[J]. 发光学报, 2012,33(12): 1304-1308 DOI: 10.3788/fgxb20123312.1304.

    ZHANG Jin-sheng, ZHANG Jin-long, NING Yong-qiang. Study of SiO<sub>2</sub> Dielectric Film Stress Grown by The Method of Ion Assisted Deposition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,33(12): 1304-1308 DOI: 10.3788/fgxb20123312.1304.

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