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量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响

    • Effect of The Number of Quantum Wells on InGaN/AlGaN LED

    • 发光学报   2012年33卷第12期 页码:1368-1372
    • DOI:10.3788/fgxb20123312.1368    

      中图分类号:

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  • 宋晶晶, 张运炎, 赵芳, 郑树文, 范广涵. 量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响[J]. 发光学报, 2012,33(12): 1368-1372 DOI: 10.3788/fgxb20123312.1368.

    SONG Jing-jing, ZHANG Yun-yan, ZHAO Fang, ZHENG Shu-wen, FAN Guan-han. Effect of The Number of Quantum Wells on InGaN/AlGaN LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,33(12): 1368-1372 DOI: 10.3788/fgxb20123312.1368.

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