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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
论文 | 更新时间:2020-08-12
    • In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响

    • Influence of Indium Doping on Acceptor Activation Energy in p-type AlxGa1-xN

    • 发光学报   2010年31卷第1期 页码:91-95

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  • 张延召, 秦志新, 桑立雯, 等. In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响[J]. 发光学报, 2010,31(1):91-95. DOI:

    ZHANG Yan-zhao, QIN Zhi-xin, SANG Li-wen, et al. Influence of Indium Doping on Acceptor Activation Energy in p-type AlxGa1-xN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010,31(1):91-95. DOI:

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