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界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响
论文 | 更新时间:2020-08-12
    • 界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

    • InAs Quantum Dots with InGaAs Caplayer Infrared Detector Grown by MBE

    • 发光学报   2009年30卷第2期 页码:214-218

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  • 杨成良, 叶慧琪, 王文新, 等. 界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响[J]. 发光学报, 2009,30(2):214-218. DOI:

    InAs Quantum Dots with InGaAs Caplayer Infrared Detector Grown by MBE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(2):214-218. DOI:

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