AlGaInP LED出光效率的模拟

林岳明; 张俊兵; 曾祥华

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

AlGaInP LED出光效率的模拟

论文 | 更新时间：2020-08-12

- AlGaInP LED出光效率的模拟
- The Simulation of AlGaInP LED's Light Output Efficiency
- 发光学报 2009年30卷第2期页码：201-208
- 作者机构：
  
  1. 扬州大学物理科学与技术学院
  2. 扬州华夏集成光电有限公司
- 作者简介：
  
  [ "" ]
  [ "" ]
  [ "" ]
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN312.8
- 纸质出版日期：2009-4-30，
  
  网络出版日期：2009-4-30，
  
  收稿日期：2008-10-14，
  
  修回日期：1900-1-2，
扫描看全文
林岳明, 张俊兵, 曾祥华. AlGaInP LED出光效率的模拟[J]. 发光学报, 2009,30(2):201-208.

The Simulation of AlGaInP LED's Light Output Efficiency[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(2):201-208.
林岳明, 张俊兵, 曾祥华. AlGaInP LED出光效率的模拟[J]. 发光学报, 2009,30(2):201-208. DOI：

The Simulation of AlGaInP LED's Light Output Efficiency[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(2):201-208. DOI：

摘要

采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况

并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现

随着窗口层厚度的增加

顶面出光效率有所下降

侧面出光效率大大提高

总出光效率呈上升趋势

且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而

随着芯片尺寸的增加

其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析

得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域

并以此为指导进行不透明电极形状的优化

进而对其条形电极的宽度进行优化

可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85％

能够为实际生产提供一定的理论指导。

Abstract

paper

关键词

有限元法AlGaInP LED出光效率电极形状

Keywords

finite element methodAlGaInP LEDoutput efficiency of lightelectrode shape

references

. Tsao J Y. Light Emitting Diodes (LEDs) for General Illumiation [M]. English Edition, New York: OIDA, 2002, 2-3.

. Vanderwater D A, Tan I H, Hfler G E, et al. High-brightness AlGaInP light emitting diodes [J]. Proceedings of the IEEE, 1997, 85 (11):1753-1764.

. Streubel K, Linder N, Wirth R, et al. High brightness AlGaInP LED [J]. IEEE, Quantum Electronics, 2002, 8 (2):321-332.

. Sugawara H, Ishikawa M, Hatakoshi G. High-efficiency InGaAlP/GaAs visible light-emitting diodes [J]. Appl. Phys. Lett., 1991, 58 (10):1010-1012.

. Pan Huapu, Huang Liwei, Li Rui, et al. Finite element model of GaN based LED and the optimization of the mesa structure [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2007, 28 (1):114-120 (in Chinese).

. Guo X, Schubet E F. Current crowding in GaN/InGaN light emitting diodes [J]. J. Appl. Phys., 2001, 90 (8):4191-4195.

. Malyutenko V K, Malyutenko O Yu, Podoltsev, et al. Current crowding in InAsSb light-emitting diodes [J]. Appl. Phys. Lett., 2001, 79 (25):4228-4230.

. Gerber J, Gillessen K. Light emitting diode: United States, 5698865 . 1997-10-16.

. Zhang Junbing, Lin Yueming,Bo Lin, et al. Optimization of the AlGaInP LEDs electrode shape [J]. Acta Phys. Sin. (物理学报), 2008, 57 (9):5881-5886 (in Chinese).

. Xu Ying, Gao Jinsong, Wang Xiaoyi, et al. Antirefective tin film design using ITO material [J]. Acta Photonica Sinica(光子学报), 2006, 34 (8):1187-1189 (in Chinese).

. Chi G C, Su Y K, Jou M J, et al. Window layer for current spreading in AlGaInP light-emitting diode [J]. J. Appl. Phys., 1994, 70 (5):2603-2611.

. Deng Yunlong, Liao Changjun, Liu Songhao, et al. A theoretic analysis of electrical injection and optical output process in high brightness light emitting diodes [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2002, 23 (3):255-260 (in Chinese).

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

掺杂光子晶体光纤产生光孤子所需泵浦功率的研究

准光子晶体光纤的色散特性

光泵浦双反射带半导体激光器的热效应有限元分析

有损耗波导中非线性TE波的数值模拟