O desempenho dos diodos emissores de luz (LEDs) de perovskita azul puro é limitado pela grande barreira de injeção de buracos entre a camada de transporte de buracos e a camada emissora de perovskita de banda larga. Para resolver este problema, este trabalho propõe uma estratégia de controle do nível de energia baseada na dopagem da camada de transporte de buracos de polivinilcarbazol (PVK) com a pequena molécula orgânica cloreto de fenilselênio (Ph-Se-Cl), para otimizar simultaneamente a injeção de portadores na interface e a qualidade do filme. Os resultados mostram que a introdução de Ph-Se-Cl desloca significativamente o nível do orbital molecular ocupacional mais alto (HOMO) do PVK de -5,91 eV para -6,11 eV, reduzindo efetivamente a diferença de nível com o valor máximo da banda de valência da perovskita azul pura e diminuindo a barreira de injeção de buracos; ao mesmo tempo, a distribuição do potencial superficial do filme HTL dopado é mais uniforme, favorecendo a formação de filmes de perovskita de alta qualidade e reduzindo defeitos na interface. Finalmente, os dispositivos PeLEDs baseados em dopagem com Ph-Se-Cl atingiram uma eficiência quântica externa máxima de 11,18%, representando um aumento de 41,5% em comparação com os dispositivos não dopados, e o desempenho dos dispositivos mostrou excelente reprodutibilidade.

diodo emissor de luz; perovskita; azul puro; filme; dispositivo