Os diodos laser de luz verde enfrentam o problema da "lacuna verde", ou seja, a baixa eficiência de conversão fotoelétrica dos dispositivos na faixa da luz verde, cuja principal causa é a dificuldade de preparar uma área ativa de poços quânticos de alta qualidade. Este artigo projetou e cresceu uma nova estrutura de área ativa de poços quânticos InGaN/AlGaN/GaN. Graças à proteção da camada de cobertura de AlGaN, a morfologia da superfície dos múltiplos poços quânticos foi significativamente melhorada, conseguindo preparar com sucesso uma área ativa de múltiplos poços quânticos para luz amarela com rugosidade quadrática média da raiz até 0,5 nm. Com base nessa área ativa, foi fabricado um diodo laser de luz verde InGaN/AlGaN/GaN com poços quânticos e comprimento de onda de emissão de 520 nm. Com uma corrente de 2 A, a eficiência de inclinação alcança 0,36 W/A e a potência de saída óptica chega a 180 mW.

MOCVD;GaN;diodo laser;camada de cobertura AlGaN