Pontos quânticos de sulfeto de cádmio (CdS), como materiais clássicos de emissão de semicondutores do grupo II-VI, têm recebido ampla atenção devido à sua alta eficiência quântica, espectro de emissão ajustável e outras excelentes propriedades ópticas. No entanto, seu mecanismo intrínseco de emissão radiativa na borda da banda resulta em pequeno deslocamento de Stokes e forte autoabsorção; ao mesmo tempo, a alta área superficial específica traz defeitos superficiais únicos que facilmente induzem recombinação não radiativa, limitando seriamente sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho e biossensores. Para superar essas limitações intrínsecas, a introdução de íons metálicos de transição (como Mn²⁺, Cu⁺/Cu²⁺, Ag⁺, Co²⁺, etc.) na rede do CdS por meio de dopagem tornou-se um método eficaz para resolver esse problema central. A dopagem não apenas altera caminhos de recombinação de éxitons pela introdução de níveis intermediários, aliviando efetivamente os defeitos mencionados, mas também confere ao material longa vida útil de emissão, grande deslocamento de Stokes e excelentes propriedades magnéticas e fotocatalíticas. Este artigo revisa sistematicamente os avanços recentes na pesquisa de pontos quânticos de CdS dopados com metais de transição. Primeiro, detalha os mecanismos de emissão dos diferentes íons dopantes na matriz CdS e a dinâmica ultrarrápida dos portadores; segundo, resume as estratégias de controle da eficiência da emissão por meio da posição da dopagem e do revestimento superficial; finalmente, sistematiza as aplicações recentes em LEDs de luz branca, sensores fluorescentes, fotodetecção e fotocatálise, além de discutir os desafios da desmetalização do cádmio e as perspectivas futuras da área.

pontos quânticos de sulfeto de cádmio; dopagem por metais de transição; mecanismos de emissão; sensores fluorescentes; dispositivos optoeletrônicos