B metais dopados na posição B possuem potencial para suprimir defeitos pontuais e defeitos de contorno de grão em perovskitas de haleto de chumbo, mas a diferença nos raios iônicos dos íons dopantes e dos íons da matriz causa tensões locais significativas, restringindo seriamente o tamanho dos grãos nos filmes. Neste trabalho, o FA foi introduzido no MAPbI₃ dopado com Co para aliviar tensões locais e melhorar a qualidade dos filmes de MAPbI₃. Estudos experimentais e teóricos mostram que a dopagem com Co induz tensões locais significativas de tração, enquanto a dopagem com FA pode relaxar efetivamente essas tensões. Estudos adicionais indicam que a dopagem com FA pode simultaneamente reduzir defeitos de contorno de grão em filmes de MAPbI₃ dopados com Co e controlar seu nível de Fermi, suprimindo efetivamente recombinação não radiativa e melhorando o transporte de portadores na interface MAPbI₃/ITO. Com base nos resultados, foi fabricado um fotodetector eficiente de MAPbI₃/ITO sem camada de transporte, com responsividade e eficiência quântica externa (EQE) de até 0,094 A/W e 28% respectivamente sob viés zero. Este estudo fornece um caminho eficaz para obter fotodetectores perovskita eficientes sem camada de transporte.

Dopagem Co; Co-FA codopagem; Relaxamento de tensão; Fotodetecção eficiente; MAPbI₃/ITO