O amplificador de fibra dopado com érbio (EDFA) é um componente central em redes ópticas de alta capacidade, que requer bombeamento por laser semicondutor monomodo de alta potência para amplificação do sinal óptico. Este artigo desenvolveu um chip laser semicondutor monomodo de alta potência a 976 nm, utilizando estrutura epitaxial assimétrica de guia de onda por reflexão de Bragg, obtendo saída de feixe quase circular com ângulo de divergência extremamente baixo. O laser fabricado alcançou potência contínua máxima superior a 1,5 W (limitada por saturação térmica), obtendo potência livre de distorção de 0,83 W a 1,2 A de corrente, com ângulos de divergência vertical e lateral contendo 95% da potência de 13,70° e 10,95°, respectivamente, comprimento de onda do pico de saída do laser de 976,16 nm, largura espectral a -3 dB de apenas 0,11 nm e relação de supressão de modos laterais de 40 dB. A distribuição do campo distante do laser é pouco sensível às variações da temperatura do dissipador térmico e da corrente de operação; mesmo sob condições de saturação térmica o ângulo de divergência vertical contendo 95% da potência permanece abaixo de 16°. Este chip laser possibilita acoplamento eficiente a fibras monomodo, favorecendo o desenvolvimento de módulos bombeadores EDFA monomodo de alta potência de baixo custo.

guia de onda de reflexão de Bragg;laser semicondutor monomodo;alta potência;baixo ângulo de divergência em campo distante;acoplamento em fibra óptica