Os refletores de Bragg distribuídos (DBR) nanoporosos de alta refletividade baseados em AlGaN são candidatos ideais para construir cavidades ressonantes de alta qualidade em diodos emissores de luz de cavidade ressonante ultravioleta (RCLED) e lasers de cavidade ressonante de emissão vertical (VCSEL). Neste trabalho, foi preparada uma estrutura empilhada de 20,5 ciclos de camadas n/n⁺-Al₀,₆Ga₀,₄N em um substrato de safira orientado na face c usando o método de deposição química por vapor metal-orgânico. Foram discutidas sistematicamente a estratégia de dopagem de Si para as camadas n⁺-Al₀,₆Ga₀,₄N e o efeito do viés de corrosão eletroquímica na morfologia e espectro de reflexão do DBR nanoporoso. Em comparação com o esquema tradicional de dopagem fixa, o projeto de dopagem com gradiente gradual de concentração de Si pode mitigar as diferenças nas taxas de corrosão eletroquímica das camadas n⁺-Al₀,₆Ga₀,₄N, melhorar significativamente a consistência do diâmetro e porosidade dos nano canais, aumentando assim a refletividade do DBR nanoporoso. Quando o viés de corrosão eletroquímica é otimizado para 33 V, a refletividade do DBR nanoporoso baseado em Al₀,₆Ga₀,₄N atinge 93,7 % no comprimento de onda alvo de 310 nm, com uma largura de banda de 36 nm; a intensidade da fotoluminescência dos poços quânticos múltiplos aumentou 110 %. Esses resultados fornecerão uma referência importante para a realização de dispositivos RCLED e VCSEL por injeção elétrica na faixa ultravioleta.

DBR baseado em AlGaN; corrosão eletroquímica; dopagem em gradiente; porosidade; espectro de reflexão; largura da banda de rejeição