Laser ajustável de largura de linha estreita da banda S baseado em cavidade externa de três microanéis de nitreto de silício

LI Yao ,  

LIANG Lei ,  

SONG Yue ,  

CHEN Yongyi ,  

LEI Yuxin ,  

JIA Peng ,  

QIU Cheng ,  

WANG Yubing ,  

SONG Junfeng ,  

HU Xiaolong ,  

QIN Li ,  

NING Yongqiang ,  

WANG Lijun ,  

摘要

Atendendo à demanda por fontes ópticas de onda contínua modulada em frequência com ampla sintonia e largura de linha estreita para radares a laser de matriz óptica, foi proposto um laser ajustável de largura de linha estreita baseado em cavidade externa de três microanéis de nitreto de silício que cobre a banda S. O projeto adota a integração híbrida entre um guia de onda Si₃N₄ de baixa perda e um amplificador óptico semicondutor reflexivo baseado em InP, e, por meio de um mecanismo de filtragem por varredura de três microanéis, alcança uma ampla faixa de sintonia de 88 nm (1 450~1 538 nm). A estrutura de cavidade externa longa e o microanel de alta qualidade comprimem a largura de linha para cerca de 0,89 kHz, enquanto um espelho refletor de anel de Sagnac ajustável otimiza a estabilidade do feedback. Os resultados da simulação indicam que o laser atende aos requisitos da fonte da banda S para sistemas de radar a laser de matriz óptica de onda contínua modulada em frequência quanto à faixa de sintonia, largura de linha e razão de supressão de modos laterais, e sua saída na banda S não apenas é compatível com a alta resposta de detectores Ge/Si, mas também pode servir como complemento espectral para as fontes atuais da banda C+L. No futuro, por meio da integração em chip, poderá ser alcançada a cobertura total das bandas S+C+L, fornecendo uma solução de fonte óptica de alto desempenho e escalável para radares a laser totalmente sólidos com varredura angular ampla.

关键词

Laser de cavidade externa integrado;Laser ajustável;Largura de linha estreita;Microanel

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