Os diodos emissores de luz por pontos quânticos de emissão superior (Quantum dot light-emitting diode, QLED) possuem uma taxa de abertura de pixel mais alta e um importante valor de aplicação na tecnologia de exibição. Este artigo primeiro projetou um ânodo semitransparente de Al/Ag; o dispositivo emissor inverso superior preparado atingiu eficiência quântica externa máxima (EQE_max) e eficiência máxima de corrente (CE_max) de 25,0% e 54,1 cd/A, respectivamente, representando aumentos de 22,5% e 27,2% em comparação com dispositivos com ânodo de Ag puro. O estudo mostra que Al/Ag aprimora a capacidade de injeção de buracos, favorecendo o equilíbrio da injeção de cargas. Em seguida, estudou-se o efeito da microcavidade de emissão superior no desempenho de emissão do dispositivo, descobrindo que a espessura do eletrodo e o comprimento da cavidade do dispositivo regulam o desempenho; quando Ag e ZnMgO têm espessuras de 27 nm e 65 nm, respectivamente, o desempenho do dispositivo é ótimo. Por fim, explorou-se o impacto da microcavidade na recombinação de excítons, constatando que o efeito Purcell pode acelerar a recombinação radiativa de excítons.

QLED de emissão superior;Eletrodo semitransparente Al/Ag;Dispositivo de emissão invertida