Com o desenvolvimento de sistemas optoeletrônicos inteligentes em direção à multispectralidade, economia de energia, miniaturização e multifuncionalidade, a faixa limitada de resposta espectral dos detectores optoeletrônicos tradicionais não atende às demandas avançadas de detecção. O desenvolvimento de detectores de banda larga de alto desempenho tornou-se um desafio importante. Para superar essa limitação, este estudo projetou e fabricou um novo detector optoeletrônico de banda larga baseado na estrutura sandwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. O dispositivo utiliza ouro como eletrodo intermediário, com β-Ga₂O₃ e MAPbI₃ como materiais absorventes nas camadas superior e inferior, respectivamente, formando uma heteroestrutura empilhada de três camadas que permite a detecção eficiente do ultravioleta ao infravermelho próximo (200~800 nm). Sob uma polarização de 6 V, o dispositivo alcança responsividades máximas de 0,050 A·W⁻¹ a 240 nm e 0,059 A·W⁻¹ a 750 nm, apresentando também características de resposta rápida na escala de microssegundos. Além disso, a estrutura sandwich única confere ao dispositivo a capacidade de detecção de banda larga autonômica, proporcionando uma solução eficaz para o desenvolvimento de detectores optoeletrônicos de próxima geração com alto desempenho e baixo consumo de energia.

Detector optoeletrônico;estrutura sandwich;detecção de banda larga