Los lasers semicondutores de emissão lateral de alta luminosidade possuem vantagens como alta eficiência de conversão eletro-ótica, alta qualidade do feixe e alta potência de pico, e têm ampla aplicação nos campos de processamento de materiais, medicina e lidar a laser. No entanto, alcançar lasers de emissão lateral com alta potência de saída e alta qualidade de feixe ainda apresenta desafios, que tornaram-se foco de pesquisa dos lasers semicondutores de alta luminosidade. Este artigo primeiro resume os avanços recentes na pesquisa nacional e internacional sobre lasers de emissão lateral de alta potência e alta qualidade do feixe, revisando o controle do modo lateral do laser e métodos de otimização do ângulo de divergência no campo distante vertical. Em seguida, apresenta a tecnologia de acionamento por pulsos, ajudando a melhorar o acúmulo térmico na região ativa para obter alta potência de pico, alcançando emissão de alta luminosidade. A potência de pico do laser de junção túnel de múltiplas regiões ativas chega a 100 W com luminosidade de 300 MW·cm^-2·sr^-1, e o laser de emissão lateral vertical de área ampla de alta luminosidade (HiBBEE) pode reduzir o ângulo de divergência do campo distante vertical, melhorando ainda mais a eficiência de acoplamento do sistema óptico e reduzindo o custo das lentes de colimação e focalização. Finalmente, combinando a tecnologia de acionamento e o estado atual e as demandas futuras de lasers de alta luminosidade, o artigo apresenta uma perspectiva para a realização de lasers semicondutores de alta luminosidade e alto desempenho acionados por pulsos.

laser semicondutor;alta potência;alta qualidade do feixe;alta luminosidade;acionamento por pulsos