Os lasers semicondutores de alta potência, como fontes de bombeamento centrais para sistemas de laser sólido e fibra óptica, possuem um valor importante de aplicação nos campos de processamento industrial e defesa. Este artigo relata um laser de bombeamento desenvolvido para atender aos sistemas de laser de fibra no infravermelho médio. Como fonte de bombeamento para lasers de fibra, o dispositivo requer alta potência de saída, alta eficiência e deve possuir boa vida útil e confiabilidade. Este artigo utiliza materiais de poços quânticos InGaAs/GaAsP de alta banda para melhorar a capacidade de confinamento de portadores, projetou uma estrutura de guia de onda assimétrica e adotou tecnologia de dopagem gradual para reduzir a perda de absorção de portadores e a resistência série. O laser de canal único com largura de crista de 200 μm alcançou uma potência de saída de 16,12 W e eficiência máxima de conversão de 53 %; um módulo laser fabricado com 10 canais individuais acoplados a uma fibra de 105 μm com NA 0,18 alcançou potência máxima de saída de 113 W. Os resultados dos testes mostram que o laser possui alta estabilidade de potência e temperatura, melhorando a confiabilidade do laser.

laser semicondutor;alta potência;eficiência de conversão;confiabilidade