Os diodos emissores de luz de pontos quânticos (Quantum dot light-emitting diodes, QLEDs), devido à sua alta pureza de cor, baixo consumo de energia e boa processabilidade por solução, tornar-se-ão competidores fortes para a próxima geração de tecnologias de display. No entanto, no modo tradicional de condução por corrente contínua, os dispositivos QLED enfrentam problemas de injeção desequilibrada de portadores, levando a recombinação não radiativa severa, degradação de eficiência e estabilidade insuficiente, limitando sua aplicação na área de displays. Portanto, este artigo propõe uma estrutura de dispositivo QLED de três terminais baseada no controle por campo elétrico alternado, que otimiza dinamicamente o equilíbrio dos portadores por meio da modulação do campo elétrico, melhorando significativamente o desempenho do dispositivo. Em comparação com os dispositivos QLED tradicionais, a eficiência quântica externa dos QLED de três terminais aumentou de 7,5% para 18,3%, e o brilho aumentou de 6842 cd/m² para 10374 cd/m², com aumentos respectivos de 143,7% e 51,6%. Os resultados experimentais mostram que os dispositivos QLED de três terminais utilizam o controle sinérgico da forma de onda, tensão e frequência do AC para controlar precisamente a mobilidade eletrônica, suprimindo eficazmente a recombinação não radiativa. Esse método não apenas resolve o problema técnico da incompatibilidade da mobilidade de elétrons e lacunas nos QLEDs tradicionais, mas também oferece uma nova abordagem técnica para o design de estruturas de dispositivos QLED de alto desempenho, com potencial para impulsionar a ampla aplicação dos QLEDs na área de displays.

Diodo emissor de luz de pontos quânticos;Dispositivo de três terminais;Controle por campo elétrico alternado;Injeção de portadores;Eficiência quântica externa