Foi proposto um modelo de circuito para diodos emissores de luz de poço quântico único InGaN/GaN com base nas equações de taxa padrão. Este modelo descreve o processo de transporte de portadores na heterojunção isolante e no poço quântico por meio de duas equações de taxa, enquanto uma terceira equação de taxa descreve as características dinâmicas dos fótons no poço quântico. Utilizando o modelo estabelecido, estudamos sistematicamente o efeito da espessura do poço quântico nas características estáticas e dinâmicas do dispositivo. Os resultados da simulação mostram que o LED com poço quântico de 4 nm apresenta melhores características de potência óptica-corrente, enquanto o LED com poço quântico de 3 nm possui uma largura de banda de modulação de 3 dB mais ampla, revelando que a alta densidade de portadores no poço quântico não favorece o desempenho estático, mas melhora efetivamente o desempenho dinâmico.

poço quântico único;equações de taxa;modelo de circuito;características potência óptica-corrente;largura de banda de modulação