Atualmente, a baixa eficiência luminosa dos LEDs vermelhos à base de InGaN limita o desenvolvimento e a aplicação da tecnologia de exibição Micro-LED RGB em cores completas baseada em nitreto. Melhorar a capacidade de confinamento de portadores e a qualidade cristalina da região ativa dos poços quânticos dos LEDs vermelhos InGaN é uma via importante para aumentar sua eficiência luminosa. Este trabalho propõe uma estrutura de dispositivo LED vermelho InGaN com polaridade de nitrogênio com camada de desaceleração eletrônica de super-rede n-In_0.1Ga_0.9N/GaN (EDL), mas sem camada de barreira eletrônica p-AlGaN (EBL). Os resultados da simulação numérica indicam que a camada super-rede EDL pode reduzir significativamente a velocidade térmica dos elétrons e melhorar a eficiência de captura dos elétrons no poço quântico. Além disso, essa estrutura de dispositivo reduz a barreira de injeção de buracos e aumenta a eficiência de captura de buracos no poço quântico, mantendo uma alta barreira eletrônica que pode efetivamente suprimir o transbordamento de elétrons no poço quântico. Em comparação com o dispositivo LED vermelho InGaN de polaridade de nitrogênio com EBL p-AlGaN, a eficiência quântica interna máxima e a potência óptica de saída do dispositivo aumentaram 16% e 32%, respectivamente. É importante notar que a estrutura do LED vermelho proposta, sem EBL p-AlGaN, pode evitar o problema da degradação da qualidade cristalina do poço quântico causada pela alta temperatura de crescimento do EBL p-AlGaN, o que é benéfico para promover a fabricação de Micro-LED vermelho InGaN de alta eficiência luminosa.

InGaN;LED vermelho;polaridade de nitrogênio;camada de desaceleração eletrônica