Os diodos emissores de luz de pontos quânticos (QLED) representam uma direção importante para o desenvolvimento de tecnologias de exibição de nova geração, com a camada de transporte de elétrons (ETL) geralmente feita de óxido de zinco (ZnO). No entanto, a alta mobilidade eletrônica do ZnO pode causar um desequilíbrio na injeção de portadores na camada de emissão (EML), e defeitos em sua superfície, como vacâncias de oxigênio, podem gerar recombinação não radiativa. Este estudo introduz de forma inovadora o nitreto de boro hexagonal (h-BN), um material bidimensional típico, para construir uma camada de barreira eletrônica na interface entre o EML e o ZnO. Os resultados experimentais mostram que a introdução de h-BN melhora efetivamente o equilíbrio de portadores dentro do dispositivo e suprime significativamente a extinção da luminância causada pelos defeitos do ZnO. Após a modificação da interface com h-BN, a eficiência quântica externa (EQE) e a eficiência de corrente (CE) dos dispositivos QLED atingiram 17,31% e 18,80 cd/A, respectivamente, representando melhorias de 12,4% e 7,43% em comparação com os dispositivos de referência. Este estudo não apenas revela o valor inovador da aplicação de materiais bidimensionais em dispositivos QLED, mas também oferece novas ideias de pesquisa para o desenvolvimento aprofundado na área de tecnologia de exibição.

QLED; nitreto de boro hexagonal; camada de barreira eletrônica; equilíbrio da injeção de portadores; modificação de interface