Os diodos emissores de luz por pontos quânticos (QLED) são uma direção importante para o desenvolvimento de tecnologias de exibição de nova geração, geralmente utilizando óxido de zinco (ZnO) como camada de transporte eletrônico (ETL). No entanto, a alta mobilidade eletrônica do ZnO pode causar desequilíbrio na injeção de portadores na camada emissora (EML), enquanto defeitos como vacâncias de oxigênio na superfície provocam recombinação não radiativa. Este estudo introduz de forma inovadora o nitreto de boro hexagonal (h-BN), um material bidimensional típico, para construir uma camada de barreira eletrônica entre a interface da EML e ZnO. Os resultados experimentais indicam que a introdução de h-BN melhora efetivamente o equilíbrio dos portadores dentro do dispositivo, suprimindo significativamente o apagamento da luminescência causado por defeitos do ZnO. Após a modificação da interface com h-BN, a eficiência quântica externa (EQE) e a eficiência de corrente (CE) dos dispositivos QLED alcançaram 17,31% e 18,80 cd/A, respectivamente, representando melhorias de 12,4% e 7,43% em comparação com os dispositivos de referência. Este estudo não apenas revela o valor inovador da aplicação de materiais bidimensionais em dispositivos QLED, mas também fornece novas ideias de pesquisa para seu desenvolvimento aprofundado no campo das tecnologias de exibição.

QLED; nitreto de boro hexagonal; camada de barreira eletrônica; equilíbrio da injeção de portadores; modificação da interface