Os diodos emissores de luz de pontos quânticos (QLED) representam uma importante direção no desenvolvimento de tecnologias de display de próxima geração, cuja camada de transporte eletrônico (ETL) geralmente é feita de óxido de zinco (ZnO). No entanto, a alta mobilidade eletrônica do ZnO pode levar a um desequilíbrio na injeção de portadores na camada emissora (EML), enquanto defeitos como vacâncias de oxigênio na superfície causam recombinação não radiativa. Este estudo introduz de forma inovadora o nitreto de boro hexagonal (h-BN), um material bidimensional típico, para construir uma camada de barreira eletrônica na interface entre EML e ZnO. Os resultados experimentais mostram que a introdução do h-BN melhora efetivamente o equilíbrio dos portadores dentro do dispositivo, suprimindo significativamente a extinção da emissão causada pelos defeitos do ZnO. Após a modificação da interface com h-BN, a eficiência quântica externa (EQE) e a eficiência de corrente (CE) dos dispositivos QLED atingiram 17,31% e 18,80 cd/A, respectivamente, representando um aumento de 12,4% e 7,43% em relação aos dispositivos de referência. Este estudo não apenas revela o valor inovador dos materiais bidimensionais em dispositivos QLED, mas também oferece novas ideias para seu desenvolvimento aprofundado no campo das tecnologias de display.

QLED;nitreto de boro hexagonal;camada de barreira eletrônica;equilíbrio da injeção de portadores;modificação de interface