O diodo emissor de luz com conversão de fósforo por fluorescência no infravermelho próximo (NIR pc-LED) é uma fonte de luz miniaturizada e promissora no infravermelho próximo, mas seu desenvolvimento é limitado pela falta de pós fluorescentes de infravermelho próximo de banda larga e comprimento de onda longo. Neste trabalho, uma série de pós fluorescentes de infravermelho próximo de banda larga e comprimento de onda longo Hf_1-xTe₃O₈ (HTO)∶xCr³⁺ (x=0~0,15) foram preparados por método sólido de estado em alta temperatura, e sua estrutura cristalina e propriedade luminosa foram analisadas. Os resultados mostraram que, sob excitação com luz azul de 450 nm, o pó fluorescente HTO∶Cr³⁺ exibe luz infravermelha próxima de banda larga e comprimento de onda longo, cujo pico de emissão principal está em 865 nm, com largura de meia altura de 167 nm (2 149 cm^-1). O cálculo da intensidade do campo cristalino indica que essa fonte luminosa no infravermelho próximo e de banda larga e comprimento de onda longo decorre do Cr³⁺ ocupando um sítio cristalográfico único com campo cristalino fraco (D_q/B=1,97) no Hf⁴⁺. Além disso, foi fabricado um dispositivo NIR pc-LED utilizando o pó fluorescente otimizado HTO∶Cr³⁺ e um chip LED azul, e por experimentos de aplicação em diferentes cenários, provou-se que esse pó tem valor aplicado em visão noturna, imagem biomédica, etc.

dopagem Cr³⁺;HfTe₃O₈;pó fluorescente infravermelho próximo;banda larga;ocupação de sítio único