Estrutura e propriedades fotoelétricas dos nanoporos de β-Ga2O3 crescidos por deposição a laser pulsada em molde AAO
摘要
A característica de banda larga do óxido de gálio o torna muito adequado para a fabricação de detectores fotovoltaicos ultravioleta cegos à luz do dia. A responsividade dos detectores ultravioleta baseados em filmes finos costuma ser baixa. No entanto, devido à alta área superficial e à alta qualidade cristalina que proporcionam alta estabilidade, os nanomateriais apresentam excelente desempenho fotoelétrico em aplicações de dispositivos. Neste artigo, foram depositados com sucesso nanoporos de β-Ga2O3 em um molde poroso AAO de canal duplo ordenado por deposição a laser pulsada (PLD). Utilizando o molde poroso AAO como espaço para crescimento dos nanomateriais, o material de óxido de gálio foi preenchido nos canais do molde, formando uma estrutura de nanotubo. Ao otimizar o processo de fabricação, estudou-se profundamente a relação entre o desempenho dos nanotubos de óxido de gálio e o tempo de crescimento, aumentando assim a responsividade do detector.
关键词
Nanoporos de β-Ga2O3; molde AAO; deposição a laser pulsada; materiais semicondutores de banda larga
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