Os pontos quânticos CsPbBr₃ (QDs) apresentam grande potencial no campo dos QLEDs devido à sua alta eficiência quântica de fotoluminescência e características de emissão de banda estreita. A superfície dos QDs CsPbBr₃ possui muitas vacâncias de Br (V_Br) e Pb²⁺ não coordenados, que introduzem estados de armadilha na banda de energia, promovendo a recombinação não radiativa dos portadores e reduzindo a eficiência do dispositivo. Neste trabalho, adotou-se uma estratégia conjunta de passivação com DDAB e DOTA que, por meio de ação sinérgica, preenche efetivamente as V_Br superficiais e se coordena com o Pb²⁺ exposto, reduzindo defeitos superficiais e melhorando o desempenho luminescente dos pontos quânticos. Através de análises por TEM, XRD e FT-IR, constatou-se que essa estratégia de passivação elevou a eficiência quântica de fotoluminescência (PLQY) dos pontos quânticos para 99,65%, com melhor resistência térmica e formação de filmes. Os dispositivos QLED preparados atingiram um brilho máximo de 8000 cd·m^-2 e uma eficiência quântica externa máxima (EQE) de 5,29%, 1,48 vezes maior que dispositivos QLED com pontos quânticos não passivados.

perovskita; pontos quânticos; passivação conjunta; defeitos de superfície