Os materiais perovskita de halogenetos metálicos, devido às suas excelentes propriedades optoeletrônicas, tornaram-se candidatos ideais para a próxima geração de materiais optoeletrônicos, tendo alcançado avanços significativos em campos como LEDs, células fotovoltaicas e fotodetectores. Nos últimos anos, o campo de aplicação dos materiais perovskita expandiu-se gradualmente, especialmente na área da espintrônica, onde o surgimento dos materiais perovskita quirais proporcionou novas possibilidades para a injeção de portadores de carga polarizados em spin. Os materiais perovskita quirais combinam as excelentes propriedades optoeletrônicas das perovskitas e, através do efeito de seleção de spin induzido por quiralidade (CISS), permitem a injeção de portadores de carga polarizados em spin à temperatura ambiente, característica que levou à aplicação bem-sucedida dos perovskitas quirais em spin-LEDs. Os spin-LEDs não só conseguem realizar eletroluminescência eficiente, mas também transmitem e armazenam informação de spin através da polarização de spin dos portadores de carga, proporcionando novas direções de pesquisa para dispositivos futuros de espintrônica. Este artigo revisa as fontes de quiralidade nas perovskitas e os avanços na pesquisa de spin-LEDs. Inicialmente, apresenta as características básicas e a evolução dos materiais perovskita; depois discute detalhadamente as mudanças nos níveis de energia das perovskitas após a introdução de moléculas quirais, o efeito CISS resultante, os principais métodos de caracterização desse efeito e suas aplicações nos spin-LEDs; por fim, explora os desafios e perspectivas futuras dos perovskitas quirais no campo da espintrônica. Esta revisão tem como objetivo fornecer uma referência abrangente para os pesquisadores da área, promovendo a pesquisa e aplicação futuras dos materiais perovskita quirais na espintrônica.

Perovskitas quirais;Diodos emissores de luz por spin;Efeito de seleção de spin induzido por quiralidade