Laser microesférico de infravermelho próximo de alta estabilidade dopado com íons Ho3+

WANG Xin ,  

SUN Xianze ,  

CHENG Kang ,  

ZHAO Haiyan ,  

TIAN Ke ,  

LU Zhizhong ,  

WANG Shunbin ,  

JIA Shijie ,  

WANG Pengfei ,  

摘要

Foi relatado um dispositivo de emissão de laser em microesfera de tamanho micrométrico no infravermelho próximo. Em um vidro com estrutura de separação de fase, foi fabricado um laser de microesfera de vidro dopado com íons Ho3+, apresentando alto valor de Q e alta limiar de dano óptico, com diâmetro da microesfera de apenas 42,81 μm. Após medições experimentais, calculou-se o valor de Q do laser de microesfera como 1,25×106. Utilizando fibra taper para acoplar a luz de bombeamento à microesfera, foi possível excitar a luminescência dos íons de terras raras e, utilizando a microesfera como cavidade ressonante do laser, foi monitorada a emissão de laser monomodo a 2,04 μm. Além disso, usamos a temperatura de transição vítrea (Tg) do vidro como parâmetro para medir a resistência a danos do laser de microesfera, provando que o laser pode operar de forma estável em ambientes complexos.

关键词

Íons Ho3+; vidro fluorosilicato; laser de infravermelho próximo

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