OLEDs transparentes possuem características de emissão de luz em ambos os lados e têm amplas perspectivas de aplicação em áreas como displays head-up e dispositivos vestíveis. Neste artigo, foi projetado inicialmente um eletrodo transparente Mg∶Ag, aumentando a transmitância ao reduzir a espessura do filme e ajustar a proporção de dopagem de Mg no Ag. Foi constatado que, com uma espessura de filme Mg∶Ag de 14 nm e uma proporção de dopagem de 1∶1, a transmitância do eletrodo é de 60%, apresentando o melhor desempenho abrangente em dispositivos OLED com estrutura direta. Em seguida, combinado com o eletrodo transparente Mg∶Ag otimizado, as camadas de transporte de lacunas e elétrons foram otimizadas em dispositivos invertidos. Finalmente, em dispositivos invertidos, o desempenho do dispositivo foi ainda mais melhorado pela deposição de uma camada extratora de luz BCP no lado externo do cátodo Mg∶Ag. Os resultados mostram que, ao usar uma camada injetora de elétrons do tipo N com 60 nm de espessura e proporção de dopagem Bphen∶Cs₂CO₃ de 1∶1, uma camada injetora de lacunas HAT-CN de 40 nm e uma camada extratora de luz BCP de 50 nm, a tensão de acendimento do OLED caiu para 2,4 V, a eficiência máxima de corrente do dispositivo foi de 43,1 cd·A^-1, sob uma densidade de corrente de 10 mA·cm^-2 o brilho da luz emitida em ambos os lados foi de 2237 cd·m^-2 e 1844 cd·m^-2 respectivamente, com uma proporção de intensidade luminosa lateral de 45% para 55%, e a transmitância em 530 nm atingiu 82,0%.

OLED transparente; eletrodo metálico transparente; dispositivo emissor invertido