Desempenho optoeletrônico de Micro-LEDs flip-chip à base de AlGaInP com superfície em forma de favo de mel

XIE Jun ,  

ZHANG Wei ,  

XIE Zijing ,  

XU Shenghai ,  

WANG Hong ,  

摘要

A baixa eficiência de extração de luz dos Micro-LEDs vermelhos à base de AlGaInP limita a intensidade luminosa do dispositivo. Este artigo propõe uma máscara metálica de níquel nanoauto-montada e uma técnica de gravação úmida para obter uma textura superficial de GaP com alta densidade e alta uniformidade. A textura da superfície aumenta o ângulo crítico e reduz o efeito de reflexão interna total, melhorando efetivamente a eficiência de extração de luz do dispositivo. Diferentes morfologias de textura superficial foram obtidas usando máscaras de níquel com diferentes espessuras. Os resultados mostram que, a uma densidade de corrente de 20 A/cm2, a intensidade luminosa e a eficiência quântica externa do Micro-LED gravado por gravação úmida utilizando uma máscara metálica de níquel de 1 nm de espessura aumentaram em 21,04% e 23,58%, respectivamente, em comparação com o Micro-LED sem textura superficial. Foi proposta uma técnica que utiliza gravação a seco ICP combinada com gravação úmida para preparar uma textura superficial cilíndrica em forma de favo de mel. Após a gravação ICP da camada de GaP seguida por corrosão úmida em diferentes tempos, a uma densidade de corrente de 20 A/cm2, a intensidade luminosa e a eficiência quântica externa do Micro-LED tratado com gravação ICP e gravação úmida (10 s * 3 vezes) aumentaram em 81,61% e 48,40%, respectivamente, em comparação com o Micro-LED sem textura superficial.

关键词

AlGaInP;flip-chip;eficiência de extração de luz;Micro-LED;textura superficial

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