O nitreto de boro hexagonal (h-BN) é um material bidimensional em camadas com banda proibida larga representativo, cuja superfície é plana ao nível atômico e sem ligações pendentes ou impurezas carregadas, possuindo excelente estabilidade mecânica, térmica e inércia química. Devido às suas propriedades extraordinárias em optoeletrônica, óptica quântica e eletrônica, atualmente é um material substrato de baixa dimensão para diversos cenários de aplicação. Este artigo apresenta inicialmente uma introdução sistemática à estrutura básica do h-BN, bem como às suas propriedades materiais optoeletrônicas, mecânicas e térmicas; subsequentemente, descreve os métodos mais recentes de preparação, incluindo esfoliação, deposição química e física em fase gasosa e epitaxia por feixe molecular, detalhando o crescimento de filmes finos de h-BN em substratos metálicos de transição e dielétricos usando deposição química em fase gasosa, e analisando suas vantagens únicas. Em seguida, aborda os avanços mais recentes em pesquisas de aplicações de dispositivos baseados em h-BN, considerando múltiplas dimensões como meios de transferência, camada dielétrica de gate FET, dispositivos fotoeletrônicos DUV, fontes de fótons únicos e detecção de nêutrons. Por fim, com base no estado atual da pesquisa e nas questões-chave, analisa os desafios e gargalos enfrentados pelo h-BN, propondo perspectivas para seu desenvolvimento futuro.

materiais bidimensionais; nitreto de boro hexagonal; métodos de preparação; aplicações optoeletrônicas