O chip de ganho semicondutor, como meio ativo do laser semicondutor de cavidade externa (ECSL), possui características como potência, dependência de polarização e fator de alargamento da largura de linha que determinam diretamente o desempenho central do laser. Para melhorar a razão de extinção de polarização do chip de ganho semicondutor e reduzir o ruído introduzido pela competição entre modos no laser, este artigo investigou o efeito da espessura do poço quântico e da tensão do poço quântico no ganho material de modos transversal elétrico (TE) e transversal magnético (TM), bem como investigou a influência do comprimento da região ativa na potência do chip de ganho e no espectro de radiação espontânea. Ao introduzir tensão de compressão no poço quântico InGaAs/AlGaAs, a diferença no ganho material entre os modos TE e TM foi aumentada, alcançando um chip de ganho semicondutor na faixa de 850 nm com clara dependência de polarização, com a máxima razão de extinção de polarização de 9,58 dB, largura de banda máxima do espectro de emissão espontânea de 28,72 nm e potência máxima de saída de 28,53 mW. Este trabalho fornece um meio ativo de ganho com características de polarização proeminentes para lasers de linha estreita necessários para medições quânticas precisas, radares laser coerentes e comunicações ópticas coerentes.

Chip de ganho;laser semicondutor de cavidade externa;poço quântico;razão de extinção de polarização;polarização linear