Os semicondutores bidimensionais possuem espessura limite ao nível atômico e características de integração de Van der Waals, com emissão luminosa dominada por excitons à temperatura ambiente, sendo materiais de ponta para pesquisa em dispositivos micro-nano optoeletrônicos. Entre eles, dispositivos emissores de luz por excitons excitados eletricamente são fundamentais para estudar suas novas físicas de emissão e promover a integração de dispositivos micro-nano optoeletrônicos. Atualmente, os dispositivos emissores de excitons em semicondutores bidimensionais concentram-se principalmente na faixa do espectro de luz visível, sendo o desenvolvimento de dispositivos de eletroluminescência na faixa de comunicações do infravermelho próximo um desafio. Este estudo baseia-se nas propriedades de fluorescência no infravermelho próximo dos excitons em fósforo negro de dupla e tripla camada, utilizando campo elétrico transversal para controlar a emissão de excitons e, além disso, construindo dispositivos emissores de luz por excitons no infravermelho próximo, não injetivos e acionados por campo elétrico, funcionando em comprimentos de onda próximos a 1150 nm e 1500 nm. Os dispositivos emissores de luz elétrica no infravermelho próximo construídos com excitons de fósforo negro de poucas camadas expandem a faixa dos dispositivos eletroluminescentes de materiais bidimensionais, oferecendo novos materiais e caminhos para dispositivos emissores micro-nano no infravermelho próximo.

materiais bidimensionais; fósforo negro; excitons; infravermelho próximo; diodo emissor de luz