摘要
Para alcançar uma saída de alta luminosidade e baixo ângulo de divergência do laser semicondutor de 1 060 nm, foi utilizado um chip epitaxial de emissão lateral de região larga vertical de alta luminosidade (HiBBEE), sendo projetado e fabricado com sucesso um laser semicondutor cônico HiBBEE. Este laser utiliza uma guia de onda rija estreita de 7 μm para saída monomodo e uma parte da guia de onda cônica de 100 μm na cavidade traseira para amplificação de potência. Sob condição de corrente de funcionamento de 1,5 A, a luminosidade do laser atinge 25 MW·cm-2·sr-1. Por meio da estrutura HiBBEE, o ângulo de divergência vertical foi reduzido para 8,0°. Este laser possui aplicações importantes em áreas como lidar a laser seguro para os olhos humanos.
关键词
Laser semicondutor cônico;Laser de emissão lateral de região larga vertical;Alta luminosidade;Qualidade do feixe
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