Os diodos emissores de luz de pontos quânticos (QLED) tornaram-se candidatos fortes para tecnologias de exibição e iluminação de próxima geração devido ao seu excelente desempenho óptico e características de processamento em solução. No entanto, materiais tradicionais de injeção de buracos (como PEDOT∶PSS) apresentam vários problemas que limitam a melhora do desempenho. Neste trabalho, foi utilizado tiocianato de cobre (CuSCN) como camada de injeção de buracos, pontos quânticos verdes CdSe/ZnS como camada emissora, combinados com diferentes camadas de transporte de buracos (HTL), como PVK e Poly-TPD, e dispositivos QLED verdes foram fabricados por processo de processamento em solução. Foi realizada uma análise comparativa do desempenho fotoelétrico dos dispositivos sob condução de corrente alternada e contínua. O estudo revelou que a barreira energética entre CuSCN e PVK causa aprisionamento de carga na interface, reduzindo o desempenho do dispositivo; ao introduzir poly-TPD, devido à sua maior mobilidade de buracos e nível HOMO mais raso, o aprisionamento de carga na interface foi efetivamente reduzido, aumentando significativamente o brilho e a eficiência de corrente do dispositivo, com brilho máximo e eficiência máxima de corrente de 132.075 cd/m² e 15,6 cd/A, respectivamente. Este estudo revela o mecanismo de influência do aprisionamento de carga na interface CuSCN/HTL sobre o desempenho do QLED, fornecendo suporte teórico e orientação prática para a aplicação de CuSCN inorgânico em QLEDs processados em solução de alta eficiência.

tiocianato de cobre; diodos emissores de luz de pontos quânticos; camada de injeção de buracos; carga aprisionada; condução de corrente alternada