Íons de terras raras possuem níveis ricos de emissão luminosa e, ao serem incorporados como centros emissores em materiais ferroelétricos, a polarização ferroelétrica pode ser utilizada para realizar o controle dinâmico do comprimento de onda e da intensidade da emissão dos íons de terras raras, o que melhorará significativamente o desempenho dos dispositivos optoeletrônicos semicondutores. O AlScN, com sua forte polarização remanescente, ampla banda proibida e alta compatibilidade com processos CMOS, oferece novas oportunidades para a construção de novos dispositivos emissores multifuncionais controlados ferroeletricamente. Este artigo investiga o efeito do dopagem com Er³⁺ na emissão luminosa e nas propriedades ferroelétricas dos filmes de AlScN. O aumento da concentração de dopagem aumenta o número de centros emissores; na faixa de concentração de 3,6% a 9,4%, observa-se um aumento na intensidade do pico de emissão de Er³⁺, mas concentrações acima de 10% causam um efeito de extinção que leva ao enfraquecimento da emissão. A dopagem com Er³⁺ causa uma leve degradação do desempenho do AlScN, mas em uma concentração de 9,4%, mantém uma polarização remanescente acima de 80 μC/cm², demonstrando a coexistência de emissão luminosa e forte ferroeletricidade, estabelecendo a base para o projeto de novos dispositivos emissores multifuncionais e altamente integrados utilizando este material ferroelétrico.

AlScN;Er³⁺;fotoluminescência;ferroeletricidade forte