Atualmente, os diodos emissores de luz de pontos quânticos (Quantum dot light-emitting diode, QLED) de alta resolução preparados por meio de várias técnicas de padronização de pontos quânticos enfrentam geralmente o problema da baixa eficiência, cujo principal motivo é a grande corrente de fuga entre os pixels. Para resolver esse problema, este artigo utilizou a tecnologia de nanoimpressão para preparar um filme em forma de favo de mel de polimetilmetacrilato (Poly(methyl methacrylate), PMMA), que foi aplicado como camada bloqueadora de carga na camada emissores do QLED, conseguindo obter com sucesso um dispositivo QLED vermelho com resolução de 8.467 pixels por polegada (Pixel per inch, PPI). Devido às boas propriedades isolantes do PMMA, a camada bloqueadora de carga isolou com sucesso o contato direto entre a camada de transporte de elétrons e a camada de transporte de lacunas, reduzindo significativamente a corrente de fuga do dispositivo preparado em comparação com dispositivos padronizados sem camada bloqueadora, o que melhorou bastante a eficiência quântica externa (External quantum efficiency, EQE), alcançando um EQE máximo de 15,31% e um brilho máximo de 100.274 cd/m².

Diodo emissor de luz de pontos quânticos (QLED); nanoimpressão; alta resolução; camada bloqueadora de carga