As características de coleta de elétrons das células solares de perovskita (PSCs) são um dos fatores-chave que afetam o desempenho do dispositivo. O dióxido de estanho (SnO₂) preparado por deposição em banho químico é um material comum para a camada de transporte eletrônico em PSCs, mas sua superfície frequentemente apresenta muitas vacâncias de oxigênio, causando perdas por recombinação não radiativa na interface enterrada SnO₂/perovskita. Neste trabalho, utilizou-se a passivação dupla molecular com tetracloreto de estanho (SnCl₄) e cromato de amônio ((NH₄)₂CrO₄) na interface enterrada das PSCs, conseguindo fabricar um dispositivo com eficiência de conversão fotoelétrica de 23,71%. Após a hidrólise do SnCl₄, formam-se pequenas partículas de SnO₂ sobre o filme de SnO₂, formando uma estrutura de superfície lisa; (NH₄)₂CrO₄ atua como oxidante, gerando uma camada ultrafina do semicondutor tipo p Cr₂O₃, que forma uma junção p-n com o SnO₂, compensando as vacâncias de oxigênio em excesso na superfície do SnO₂, reduzindo a recombinação não radiativa na interface enterrada e melhorando a eficiência de extração de carga. Ao mesmo tempo, o tamanho dos grãos do filme de perovskita preparado sobre o SnO₂ com dupla passivação molecular aumenta e a densidade de defeitos diminui.

células solares de perovskita;óxido de estanho;defeitos;passivação dupla molecular