Devido às suas vantagens como estrutura simples, alta densidade de integração e baixo consumo de energia durante a operação, o memristor apresenta boas perspectivas de aplicação em campos como armazenamento e processamento eficiente de informações e simulação de funções sinápticas semelhantes ao cérebro. O material de óxido de zinco possui processo de fabricação simples, excelente estabilidade de excitons em temperatura ambiente e boa biocompatibilidade, sendo um dos materiais ideais para o desenvolvimento de dispositivos memristores de alto desempenho. Este artigo revisa os avanços recentes na pesquisa de dispositivos memristores à base de óxido de zinco, incluindo características de mudança de resistência e mecanismo de operação, simulação de funções cognitivas sinápticas, bem como funções e aplicações neuromórficas relacionadas. Primeiramente, são apresentadas as características de mudança de resistência e o mecanismo de operação dos dispositivos memristores à base de óxido de zinco, incluindo o comportamento da mudança de resistência modulada por sinais elétricos e ópticos; com base nisso, é apresentada a simulação das funções cognitivas dos dispositivos sinápticos baseados em memristores, incluindo plasticidade sináptica e simulação de regras avançadas de aprendizagem; em seguida, são introduzidas as aplicações dos memristores em computação neuromórfica, incluindo operações lógicas, reconhecimento de padrões e integração multimodal de funções de percepção e computação; finalmente, são resumidos os desafios atuais dos dispositivos memristores à base de óxido de zinco e apresentadas perspectivas para desenvolvimentos futuros.

óxido de zinco;memristor;memristor optoeletrônico;sinapse artificial