Os poços quânticos múltiplos InAlGaAs/AlGaAs (MQWs) têm recebido cada vez mais atenção nas regiões do infravermelho próximo e da luz visível devido à sua ampla faixa espectral, tornando-se um tema emergente de pesquisa. Neste estudo, foi utilizada a técnica de crescimento MOCVD para preparar materiais de poços quânticos múltiplos InAlGaAs/AlGaAs. Com base nos principais fatores a serem considerados na seleção do material da camada de inserção (ISL) e em cálculos teóricos, investigou-se o efeito da estrutura da camada de inserção nas propriedades de emissão dos poços quânticos. Foram projetados e cultivados poços quânticos InAlGaAs sem camada de inserção e com camadas de inserção de AlGaAs com diferentes espessuras e diferentes composições de Al. Os resultados experimentais mostram que a introdução da camada de inserção melhora significativamente a intensidade de emissão dos poços quânticos. Embora existam estados localizados nas amostras, a presença da camada de inserção não introduziu mais estados localizados e não alterou o mecanismo de recombinação dos portadores nos poços quânticos. Os resultados do estudo fornecem uma análise teórica importante e dados experimentais para a otimização estrutural dos poços quânticos InAlGaAs e da tecnologia da camada de inserção, indicando que um design razoável da camada de inserção pode melhorar significativamente o desempenho óptico dos poços quânticos InAlGaAs.

Poços quânticos múltiplos InAlGaAs; camada de inserção; deposição química de vapor metalorgânico (MOCVD)