Detectores de raios X de semicondutores de alto desempenho devem possuir características como baixo limite de detecção, baixa corrente escura, alta sensibilidade, resposta rápida e forte resistência à radiação. Semicondutores de banda larga como carbeto de silício, nitreto de gálio, diamante, óxido de gálio e óxido de zinco apresentam, devido às suas características de largura de banda ampla, alta mobilidade eletrônica, alta rigidez dielétrica, alta velocidade de deriva saturada de portadores e alta energia de deslocamento, desempenho excepcional na detecção de raios X, atendendo aos requisitos dos detectores de raios X de semicondutores de alto desempenho, tornando-se detectores de raios X promissores. Este artigo apresenta as características dos materiais semicondutores de banda larga como carbeto de silício, nitreto de gálio, diamante, óxido de gálio e óxido de zinco, as técnicas de fabricação e os recentes avanços na pesquisa de detectores de raios X, fornecendo referência para futuras direções de pesquisa e aplicações potenciais em imagens médicas, inspeção industrial e exploração espacial.

banda larga;semicondutor;detector de raios X;carbeto de silício;nitreto de gálio;diamante