Os displays Micro LED baseados em materiais nitretos do grupo III necessitam de LEDs vermelhos de alto desempenho baseados em InGaN. Este trabalho utiliza engenharia de polarização para construir um InGaN de composição gradual como a última barreira quântica (Last quantum barrier, LQB) no LED vermelho InGaN com polaridade de nitrogênio. A simulação numérica mostra que o campo de polarização invertido no LED InGaN com polaridade de nitrogênio aumenta efetivamente a capacidade do poço quântico para reter portadores e reduz a voltagem de acionamento do dispositivo. É importante notar que, no LED InGaN com polaridade de nitrogênio, a camada LQB InGaN de composição gradual e a interface p-GaN formam simultaneamente armadilhas de potencial para elétrons e lacunas, resultando em emissão radiativa eficiente e melhorando efetivamente o desempenho de emissão do LED vermelho baseado em InGaN. Este trabalho oferece novas ideias para o design estrutural e fabricação de dispositivos LED vermelhos de alta eficiência baseados em InGaN.

InGaN; engenharia de polarização; LED vermelho